产品参数：

技术系列：低电压互补金属氧化物半导体（LVC）
电源电压最小值（伏）：1.65
电源电压最大值（伏）：5.5
最大输出灌电流（毫安）：32
输入类型：标准互补金属氧化物半导体（CMOS）
工作温度范围（摄氏度）：-40 至 125
封装/引脚/尺寸：

EM74LVC1G09GV 采用 SOT23-5L 封装，SOT23 封装形式，5 引脚，尺寸为 2.92 毫米 ×1.6 毫米；最大高度为 1.25 毫米。
EM74LVC1G09GW 采用 SOT353 封装，SOT353 封装形式，5 引脚，尺寸为 2.1 毫米 ×1.25 毫米；最大高度为 1.1 毫米。
EM74LVC1G09GS 采用 DFN1x1-6L 封装，DFN1×1 封装形式，6 引脚，尺寸为 1 毫米 ×1 毫米；最大高度为 0.42 毫米。
EM74LVC1G09GM 采用 DFN1x1.45-6L 封装，DFN1.45×1 封装形式，6 引脚，尺寸为 1.45 毫米 ×1 毫米；最大高度为 0.6 毫米。
EM74LVC1G09GX 采用 DFN0.8x0.8-4L 封装，DFN0.8×0.8 封装形式，5 引脚，尺寸为 0.8 毫米 ×0.8 毫米；最大高度为 0.4 毫米。

*电源电压范围宽广，从 1.65 伏到 5.5 伏。
*输出可耐受 5 伏电压，能够与 5 伏逻辑电路连接。
*抗噪性能高。
*基于互补金属氧化物半导体（CMOS）技术，功耗低。
*输出为开漏形式。
*输入可承受高达 5 伏的电压。
*输出驱动能力为 ±24 毫安（电源电压 VCC = 3.0 伏时）。
*抗闩锁性能超过 100 毫安。
*可与晶体管 - 晶体管逻辑（TTL）电平直接连接。
*符合电子器件工程联合委员会（JEDEC）标准：
*JESD8-7（1.65 伏至 1.95 伏）
*JESD8-5（2.3 伏至 2.7 伏）
*JESD8-B/JESD36（2.7 伏至 3.6 伏）
*静电放电（ESD）保护：
*人体放电模式（HBM）符合美国国家标准协会 / 电子器件静电放电协会 / 电子器件工程联合委员会（ANSI/ESDA/JEDEC）标准 JS-001 的 3B 级，超过 8000 伏。
*机器放电模式（MM）符合 JEDEC 标准 JESD22-A115C 的 C 级，超过 550 伏。
*带电装置模式（CDM）符合美国国家标准协会 / 电子器件静电放电协会 / 电子器件工程联合委员会（ANSI/ESDA/JEDEC）标准 JS-002 的 C3 级，超过 2000 伏。
*有多种封装可供选择。

说明：

EM74LVC1G09 是一款具有开漏输出的单路 2 输入与门。其输入可以由 3.3V 或 5V 的器件驱动。这一特性使得该器件能够在 3.3V 和 5V 混合的环境中用作电平转换器。所有输入的施密特触发功能使电路能够耐受较慢的输入上升和下降时间。该器件针对使用 IOFF 功能的部分掉电应用进行了全面的规格设定。IOFF 电路会禁用输出，防止在器件断电时出现可能损坏器件的反向电流。