产品参数：

技术系列：低电压互补金属氧化物半导体（LVC）
电源电压最小值（伏）：1.65
电源电压最大值（伏）：5.5
通道数量：1
最大输出灌电流（毫安）：32
最大输出拉电流（毫安）：-32
电源电流最大值（微安）：4
输入类型：施密特触发
输出类型：推挽式
特性：平衡输出、过压耐受输入、部分掉电（Ioff）、超高速（传输延迟时间 tpd 为 5 至 10 纳秒）
等级：产品目录级别
工作温度范围（摄氏度）：-40 至 125
封装/引脚/尺寸：

EM74LVC1G14GV 采用 SOT23-5L 封装，SOT23 封装形式，5 引脚，尺寸为 2.92 毫米 ×1.6 毫米；最大高度为 1.25 毫米。
EM74LVC1G14GW 采用 SOT353 封装，SOT353 封装形式，5 引脚，尺寸为 2.1 毫米 ×1.25 毫米；最大高度为 1.1 毫米。
EM74LVC1G14GS 采用 DFN1x1-6L 封装，DFN1×1 封装形式，6 引脚，尺寸为 1 毫米 ×1 毫米；最大高度为 0.42 毫米。
EM74LVC1G14GM 采用 DFN1x1.45-6L 封装，DFN1.45×1 封装形式，6 引脚，尺寸为 1.45 毫米 ×1 毫米；最大高度为 0.6 毫米。
EM74LVC1G14GX 采用 DFN0.8x0.8-4L 封装，DFN0.8×0.8 封装形式，5 引脚，尺寸为 0.8 毫米 ×0.8 毫米；最大高度为 0.4 毫米。
特性：

*电源电压范围宽广，从 1.65 伏到 5.5 伏。
*输入可耐受高达 5.5 伏的过电压。
*抗噪性能高。
*当电源电压 VCC = 3.0 伏时，输出驱动能力为 ±24 毫安。
*基于互补金属氧化物半导体（CMOS）技术，功耗低。
*抗闩锁性能超过 100 毫安。
*可与晶体管 - 晶体管逻辑（TTL）电平直接连接。
*IOFF 电路可实现部分掉电模式操作。
*上升和下降时间无限制。
*符合电子器件工程联合委员会（JEDEC）标准：
*JESD8-7（1.65 伏至 1.95 伏）
*JESD8-5（2.3 伏至 2.7 伏）
*JESD8C（2.7 伏至 3.6 伏）
*JESD36（4.5 伏至 5.5 伏）
*静电放电（ESD）保护：
*人体放电模式（HBM）符合美国国家标准协会 / 电子器件静电放电协会 / 电子器件工程联合委员会（ANSI/ESDA/JEDEC）标准 JS-001 的 3B 级，超过 8000 伏。
*机器放电模式（MM）符合 JEDEC 标准 JESD22-A115C 的 C 级，超过 550 伏。
*带电装置模式（CDM）符合美国国家标准协会 / 电子器件静电放电协会 / 电子器件工程联合委员会（ANSI/ESDA/JEDEC）标准 JS-002 的 C3 级，超过 2000 伏。
*有多种封装可供选择。

说明:

EM74LVC1G14 是一款带施密特触发输入的单路反相器。其输入可由 3.3V 或 5V 器件驱动，这一特性使其能够作为电平转换器应用于 3.3V 与 5V 混合的应用环境中。该器件针对采用 IOFF 功能的部分掉电应用进行了完整规格定义。IOFF 电路可在器件断电时禁用输出，防止电流倒灌通过器件，从而避免潜在的电路损坏风险。