产品参数：

技术系列：低电压互补金属氧化物半导体（LVC）
电源电压最小值（伏）：1.65
电源电压最大值（伏）：5.5
通道数量：1
每个通道的输入数量：3
最大输出灌电流（毫安）：32
最大输出拉电流（毫安）：-32
输入类型：标准互补金属氧化物半导体（CMOS）
输出类型：推挽式
特性：过压耐受输入、部分掉电（Ioff）、超高速（传输延迟时间 tpd 小于 5 纳秒）
数据速率最大值（兆比特每秒）：100
等级：产品目录级别
工作温度范围（摄氏度）：-40 至 125
封装/引脚/尺寸：

EM74LVC1G332GV 采用 SOT23-6L 封装，SOT23 封装形式，6 引脚，尺寸为 2.92 毫米 ×1.6 毫米；最大高度为 1.25 毫米。
EM74LVC1G332GW 采用 SOT363 封装，SOT363 封装形式，6 引脚，尺寸为 2.1 毫米 ×1.25 毫米；最大高度为 1.1 毫米。
EM74LVC1G332GS 采用 DFN1x1-6L 封装，DFN1×1 封装形式，6 引脚，尺寸为 1 毫米 ×1 毫米；最大高度为 0.42 毫米。
EM74LVC1G332GM 采用 DFN1x1.45-6L 封装，DFN1.45×1 封装形式，6 引脚，尺寸为 1.45 毫米 ×1 毫米；最大高度为 0.6 毫米。
特性：

*电源电压范围宽广，介于 1.65 伏至 5.5 伏之间。
*抗噪性能高。
*输入可耐受高达 5.5 伏的过电压。
*当电源电压 VCC 为 3.0 伏时，输出驱动能力为 ±24 毫安。
*基于互补金属氧化物半导体（CMOS）技术，功耗低。
*可与晶体管 - 晶体管逻辑（TTL）电平直接连接。
*IOFF 电路可实现部分掉电模式操作。
*抗闩锁性能超过 100 毫安。
*符合电子器件工程联合委员会（JEDEC）标准：
*JESD8-7（1.65 伏至 1.95 伏）
*JESD8-5（2.3 伏至 2.7 伏）
*JESD8C（2.7 伏至 3.6 伏）
*JESD36（4.5 伏至 5.5 伏）
*静电放电（ESD）保护：
*人体放电模式（HBM）符合美国国家标准协会 / 电子器件静电放电协会 / 电子器件工程联合委员会（ANSI/ESDA/JEDEC）标准 JS-001 的 3B 级，超过 8000 伏。
*机器放电模式（MM）符合 JEDEC 标准 JESD22-A115C 的 C 级，超过 550 伏。
*带电装置模式（CDM）符合美国国家标准协会 / 电子器件静电放电协会 / 电子器件工程联合委员会（ANSI/ESDA/JEDEC）标准 JS-002 的 C3 级，超过 2000 伏。
*有多种封装选项。
说明：

EM74LVC1G332 是一款单路 3 输入或门。其输入可由 3.3V 或 5V 器件驱动，这一特性使得该器件能够在 3.3V 和 5V 混合的应用环境中用作电平转换器。所有输入均具备施密特触发功能，使电路能够耐受较慢的输入上升和下降时间。该器件针对使用 IOFF 功能的部分掉电应用进行了完整的规格设定。IOFF 电路会禁用输出，防止在器件断电时出现可能损坏器件的反向电流。