产品参数：

技术系列：低电压互补金属氧化物半导体（LVC）
电源电压最小值（伏）：1.65
电源电压最大值（伏）：5.5
通道数量：1
最大输出灌电流（毫安）：32
最大输出拉电流（毫安）：-32
电源电流最大值（微安）：4
输入类型：标准互补金属氧化物半导体（CMOS）
输出类型：推挽式
特性：平衡输出、过压耐受输入、部分掉电（Ioff）、无缓冲、超高速（传输延迟时间为 5 至 10 纳秒）
等级：产品目录级别
工作温度范围（摄氏度）：-40 至 125
封装/引脚/尺寸：

EM74LVC1GU04GV 采用 SOT23-5L 封装，SOT23 封装形式，5 引脚，尺寸为 2.92 毫米 ×1.6 毫米；最大高度为 1.25 毫米。
EM74LVC1GU04GW 采用 SOT353 封装，SOT353 封装形式，5 引脚，尺寸为 2.1 毫米 ×1.25 毫米；最大高度为 1.1 毫米。
EM74LVC1GU04GS 采用 DFN1x1-6L 封装，DFN1×1 封装形式，6 引脚，尺寸为 1 毫米 ×1 毫米；最大高度为 0.42 毫米。
EM74LVC1GU04GM 采用 DFN1x1.45-6L 封装，DFN1.45×1 封装形式，6 引脚，尺寸为 1.45 毫米 ×1 毫米；最大高度为 0.6 毫米。
EM74LVC1GU04GX 采用 DFN0.8x0.8-4L 封装，DFN0.8×0.8 封装形式，5 引脚，尺寸为 0.8 毫米 ×0.8 毫米；最大高度为 0.4 毫米。
特性：

*电源电压范围宽，从 1.65 伏到 5.5 伏。

*输入可耐受高达 5.5 伏的过电压。
*抗噪性高。
*基于互补金属氧化物半导体（CMOS）技术，功耗低。
*当电源电压 VCC 为 3.0 伏时，输出驱动能力为 ±24 毫安。
*抗闩锁性能超过 100 毫安。
*静电放电（ESD）保护：
人体放电模式（HBM）符合美国国家标准协会 / 电子器件静电放电协会 / 电子器件工程联合委员会（ANSI/ESDA/JEDEC）标准 JS-001 的 3B 级，超过 8000 伏。
*机器放电模式（MM）符合 JEDEC 标准 JESD22-A115C 的 C 级，超过 550 伏。
*带电装置模式（CDM）符合美国国家标准协会 / 电子器件静电放电协会 / 电子器件工程联合委员会（ANSI/ESDA/JEDEC）标准 JS-002 的 C3 级，超过 2000 伏。
*有多种封装选项。
说明：

EM74LVC1GU04 是一款单路无缓冲反相器。其输入可以由 3.3V 或 5.5V 的器件驱动。这一特性使得该器件能够在 3.3V 和 5.5V 混合的环境中使用。所有输入的施密特触发功能使该电路能够耐受较慢的输入上升和下降时间。